光耦合器试验报告

咨询光耦合器检验服务，上百检网。我们会为您安排光耦合器检验工程师对接，沟通光耦合器检验项目、标准、周期等，待方案确认后，即可开始样品检测，出具光耦合器检验报告真实有效，常规周期在3-15个工作日，特殊项目需在方案制定时详细确认，欢迎咨询。

检测周期：常规3-15个工作日，特殊样品除外，在可行范围内可安排加急。

报告样式：纸质、电子版、中英文均可。

光耦合器检验项目：

反向击穿电压（二极管）,反向电流（二极管）,正向电压（输入二极管）,正向电流（二极管）,输出截止电流,集电极-发射极反向击穿电压,集电极-发射极饱和电压,X射线检查,内部气体成份分析,内部目检,剪切强度,外部目检,密封,扫描电子显微镜(SEM)检查,粒子碰撞噪声检测(PIND),键合强度,扫描电子显微镜（SEM）检查,电流传输比,集电极-发射极击穿电压,正向电压,逻辑低电压水平,反向电流,发射极-基极击穿电压,发射极-集电极击穿电压,集电极-发射极截止电流,集电极-基极击穿电压,集电极-基极截止电流,粒子碰撞噪声检测（PIND）,外观检查,高温试验,回波损耗,高低温循环试验,低温试验,正向压降,反向截止电流,饱和电压,反向击穿电压

光耦合器检验流程：

1、咨询工程师，提交检测需求。

2、送样/邮递样品。

3、免费初检，进行报价。

4、签订合同和保密协议。

5、进行方案定制、实验。

6、出具实验结果和检测报告。

光耦合器检验标准：

1、SJ2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法SJ 2215.2-1982

2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 5.1

3、GJB 4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法 1201

4、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

5、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 表D1

6、SJ2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法SJ 2215.8-1982

7、GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析 工作项目1201第2.7条

8、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 GB 12565-1990

9、YD/T 1117-2001 全光纤型分支器件技术条件 YD/T 1117-2001

10、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 附录D表D1

11、GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法 方法 2076

12、SJ2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法 SJ 2215.9-1982

13、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第IV第1节1

14、SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015

15、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 GB 12565－1990

16、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 2018.1

17、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

18、SJ2215.7-1982 半导体光耦合器集电极－发射极反向击穿电压的测试方法SJ 2215.7-1982

19、SJ2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法 SJ 2215.4-1982

20、YD/T1117-2001 全光纤型分支器件技术条件

光耦合器检验报告有什么用？

1、项目招投标：CMA/CNAS资质报告;

2、上线电商平台入驻：质检报告各大电商平台认可;

3、用作销售报告：出具具有法律效应的检测报告，让消费者更放心;

4、论文及科研：提供专业的个性化检测需求;

5、司法服务：提供科学、公正、准确的检测数据;

6、工业问题诊断：验证工业生产环节问题排查和修正;

关于光耦合器检验检测内容就介绍到这里。如还有其他疑问，欢迎致电咨询，我们将竭诚为您服务。